Описание
Этот продукт представляет собой полупроводниковый лазер с поверхностным излучением и фотонной кристаллической структурой, характеризующийся узкой точечной картиной пучка (узкий угол распространения пучка, круглая форма) и узкой спектральной шириной линии. Фотонический кристалл представляет собой оптическую наноструктуру с периодическим распределением коэффициента преломления с размерами, близкими к длинам волн света. В этом продукте свет усиливается и преломляется фотонным кристаллом, установленным в непосредственной близости от слоя усиления света, называемого активным слоем, и усиливаемый свет выходит в виде лазерного луча в направлении, перпендикулярном поверхности. Даже при большой площади, этот лазер позволяет стабильное резонансное действие и, таким образом, обеспечивает высокое качество пучка с узким углом излучения.
Спецификации
Номер типа: L13395-04
Режим вибрации : CW
Рабочая температура: от 0 ℃ до +30 ℃
Температура хранения: от -30 ℃ до +85 ℃
Длина волны пикового излучения тип: 940 нм
Максимальная выходная мощность излучения: 200 мВт
Тип выходной мощности излучения: 150 мВт
Рабочий ток макс.: 850 мА
Спектральное излучение половина полосы пропускания макс. : 1 нм
Рабочее напряжение макс.: 2 В
Площадь выброса : 200 × 200 мкм
Угол рассеивания балки (по горизонтали) макс.: 1 °
Угол рассеивания балки (вертикальный) макс.: 1 °
Пороговый ток для лазера тип. : 250 мА
Пакет : φ9.0 CD
